自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究

报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究

对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延(IBE)方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱(AES)深度部剖析测量。结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO_2和铈的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨。结果还表明IBE CeO_2/Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO_2,而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性。

InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。

借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量

报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm~(-1)附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量。实验结果表明

δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型

首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型，应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。

压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究

于2010-11-23批量导入

低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质。测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质，对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。

不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响

利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

Growth of GaN on magnesium aluminate substrate by LP-MOVPE

于2010-11-23批量导入

用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究

于2010-11-23批量导入

刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性

于2010-11-23批量导入

100GHz带宽的光电导探测器芯片

于2010-11-23批量导入

纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟

在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好.

非晶硅X-射线探测阵列的研究

研制出a-Si:H pin型X射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(CsI)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm~2、1.6×1.6mm~2和100×100μm~2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0、10~(-12)A/mm~2(-10mV),光灵敏度～0.35μA/μW*600nm).该文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.