（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5835.pdf: 98097 bytes, checksum: 7b05cff068ca378e031f28250a4d901b (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈定钦;邢益荣;李国华;朱勤生;曹作萍;张广泽;肖君;吴汲安;钟战天.（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究,半导体学报,1997,18(11):832 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
