用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究


Autoria(s): 王晓晖; 刘祥林; 汪度; 陆大成
Data(s)

1997

Resumo

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中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19499

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104387

Idioma(s)

中文

Fonte

王晓晖;刘祥林;汪度;陆大成.用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究,半导体学报,1997,18(11):867

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文