InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。 当激发光能量小于GaAs热垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰。研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV,发光具有二维特性。在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关。这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5827.pdf: 297351 bytes, checksum: 6d7e87ffd68deca6f95edac6f53f7fff (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金,国家攀登计划 中科院半导体所;香港科技大学物理系 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吕振东;徐仲英;郑宝真;许继宗;王玉琦;王建农;葛惟锟.InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究,半导体学报,1997,18(8):631 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
