压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5831.pdf: 455658 bytes, checksum: 2d8d9d378b7fcffaf65ebb33de31e56f (MD5) Previous issue date: 1997 国家863计划 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
王晓亮;孙殿照;孔梅影;侯洵;曾一平.压应变In（0.63）Ga（0.3）7As/InP单量子阱的变温光致发光研究,半导体学报,1997,18(9):660 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
