自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。 报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果。透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和。还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多耦合量子点的光致发光谱具有高能带尾。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5823.pdf: 541688 bytes, checksum: 411ce51c3afd1134400d23cb7183a6bb (MD5) Previous issue date: 1997 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院北京电子显微镜实验室 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志明;邓元明;封松林;吕振东;陈宗圭;王凤莲;徐仲英;郑厚植;高--;韩培德;段晓峰.自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究,半导体学报,1997,18(7):550 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
