低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质。测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质，对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。 研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质。测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质，对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5832.pdf: 369715 bytes, checksum: 5e6fbf62aae68d30fd3ccf19f3b406ba (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金 南开大学物理系;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周凯明;李江;李乙钢;郭儒;张光寅;潘士宏;李瑞钢;朱战平;梁基本.低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应,半导体学报,1997,18(9):654 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
