借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量
| Data(s) |
1997
|
|---|---|
| Resumo |
报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm~(-1)附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量。实验结果表明 报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm~(-1)附近得到了明显的Si-O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量。实验结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5828.pdf: 204746 bytes, checksum: fc09d1ca1ac14e53c1bb45250cac3572 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王启元;王俊;韩秀峰;邓惠芳;王建华;昝育德;蔡田海;郁元桓;林兰英.借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温（10K）红外测量,半导体学报,1997,18(8):587 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
