对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延(IBE)方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱(AES)深度部剖析测量。结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO_2和铈的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨。结果还表明IBE CeO_2/Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO_2,而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性。 对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延(IBE)方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱(AES)深度部剖析测量。结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO_2和铈的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨。结果还表明IBE CeO_2/Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO_2,而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5824.pdf: 331089 bytes, checksum: a14d947939848c2aede7b8fd9e267433 (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
黄大定;王军杰;杨锡震;吴正龙.对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究,半导体学报,1997,18(7):538 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
