刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5839.pdf: 95454 bytes, checksum: fa8809ae0d2c5d6204dea638f0990648 (MD5) Previous issue date: 1997 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金 中科院半导体所 国家自然科学基金,集成光电子学联合国家重点实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
颜学进;张权生;石志文;杜云;祝亚芹;罗丽萍;朱家廉;吴荣汉;王启明.刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性,半导体学报,1997,18(11):836 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
