纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好. 在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H_2高度稀释SiH_4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜,利用高分辨率电子显微镜(HREM),Raman散射谱(RSS),扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限制凝聚模型.其结果与实验符合得很好. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5866.pdf: 2036433 bytes, checksum: 00bbc69b8f94711da6146119db2f2d61 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 北京理工大学电子工程系;北京航空航天大学物理系;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
林鸿溢;武旭辉;何宇亮;褚一鸣.纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟,物理学报,1996,45(4):655 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
