δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型，应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。 首次建立了δ掺杂AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性。根据这个模型，应用二维数值模拟方法和自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度，模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子阱中。详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5830.pdf: 168366 bytes, checksum: 4c584ebf47f244d3c1e77e36df2aa4cf (MD5) Previous issue date: 1997 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张兴宏;杨玉芬;王占国.δ掺杂AlGaAs/GaAs HEMT的二维量子模型,半导体学报,1997,18(9):682 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
