非晶硅X-射线探测阵列的研究

研制出a-Si:H pin型X射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(CsI)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm~2、1.6×1.6mm~2和100×100μm~2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0、10~(-12)A/mm~2(-10mV),光灵敏度～0.35μA/μW*600nm).该文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.

研制出a-Si:H pin型X射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(CsI)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm~2、1.6×1.6mm~2和100×100μm~2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0、10~(-12)A/mm~2(-10mV),光灵敏度～0.35μA/μW*600nm).该文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.

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zhangdi于2010-11-23 13:14:22导入数据到SEMI-IR的IR

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中科院半导体所