不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。 利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响。退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱。深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强。GaAs盖层越厚，量子点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著,并由此导致了发光峰半高宽的不同变化。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:57导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5834.pdf: 168965 bytes, checksum: c25e08dd99f2739b6ebb3f7e8f7577ce (MD5) Previous issue date: 1997 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志明;吕振东;封松林;赵谦;李树英;吉秀江;陈宗圭;徐仲英;郑厚植.不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响,半导体学报,1997,18(9):714 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
