UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰，而且在卫星峰之间观察到了Pendellosung条纹，表明晶格质量和界面质量都很好；Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的TEM照片中观察不到位错的存在。

用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管

国家九五计划

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

于2010-11-23批量导入

新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析

提出一种新型隐埋Si/SiO_2 Bragg反射器结构的Si基共振腔型光电探测器，该结构具有与集成电路相兼容的特点。理论计算表明量子效率较普通光电探测器提高了3～4倍。

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。

图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。

SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射

通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。

Si_（1-x）Ge_x/Si低维应变材料的发光机理

国家自然科学基金

Si基异质结构发光的研究现状

国家自然科学基金

Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

于2010-11-23批量导入

RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。

铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光

在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。

测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响

利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。