SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。 通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5535.pdf: 246350 bytes, checksum: 436df04c06517394f7f60543f3d1b620 (MD5) Previous issue date: 2000 北京市自然科学基金,国家863计划 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所 北京市自然科学基金,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邹德恕;徐晨;罗辑;魏欢;董欣;周静;杜金玉;高国;陈建新;沈光地;王玉田.SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射,半导体技术,2000,25(1):36 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
