Ge_（0.4）Si_（0.6）/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

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Autoria(s): 王海龙; 司俊杰; 封松林

Data(s)	1999
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18885 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104080
Idioma(s)	中文
Fonte	王海龙;司俊杰;封松林.Ge_（0.4）Si_（0.6）/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心,半导体学报,1999,20(9):737
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	期刊论文