Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5617.pdf: 215939 bytes, checksum: 5287859692b3af3794a9f0213b7a8ff0 (MD5) Previous issue date: 1998 国家863计划,国家八五计划 中科院半导体所 国家863计划,国家八五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
汪连山;刘祥林;昝育德;汪度;王俊;陆大成;王占国.Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备,中国科学. E辑，技术科学 ,1998,28(1):32 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
