图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关。