铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300 ℃和400 ℃热退火后,测得了来自发光中心Er~(3+)内层4f电子跃迁的1.54 μm光致发光。400 ℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5662.pdf: 249025 bytes, checksum: fff7ef4a558f85e284ea77b0222f1cf4 (MD5) Previous issue date: 1998 材料科学与工程重点实验室基金,光学信息技术科学开放实验室基金 南开大学光电子所;中科院半导体所 材料科学与工程重点实验室基金,光学信息技术科学开放实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
薛俊明;周伟;孙钟林.铒、氧共注a-Si:H和a-SiCx:H的1.54μm光致发光,光电子·激光,1998,9(4):301 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
