测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。 利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5671.pdf: 272075 bytes, checksum: a2b2a19cec05c12449dfc0ca157c5b15 (MD5) Previous issue date: 1998 河北省自然科学基金 河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理研究室;中科院半导体所 河北省自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
彭英才;刘明;何宇亮;江兴流;李国华;韩和相.测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响,发光学报,1998,19(1):56 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
