Si_(1-x)Ge_x/Si低维应变材料的发光机理


Autoria(s): 韩伟华; 余金中
Data(s)

1999

Resumo

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18993

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104134

Idioma(s)

中文

Fonte

韩伟华;余金中.Si_(1-x)Ge_x/Si低维应变材料的发光机理,半导体光电,1999,20(6):32

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文