Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing


Autoria(s): 李成; 杨沁清; 王红杰; 罗丽萍; 成步文; 余金中; 王启明; 陈涌海; 王吉政
Data(s)

2000

Resumo

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国家自然科学基金,国家863计划

中科院半导体所

国家自然科学基金,国家863计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18845

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104060

Idioma(s)

英语

Fonte

李成;杨沁清;王红杰;罗丽萍;成步文;余金中;王启明;陈涌海;王吉政.Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing,半导体学报,2000,21(1):18

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文