低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。 为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:11导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5503.pdf: 129748 bytes, checksum: db2ce101436f0930d5e3ae6069e62f8b (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李建平;黄大定;刘金平;刘学锋;李灵宵;朱世荣;孙殿照;孔梅影.低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响,半导体学报,1999,20(7):559 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
