RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。 报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:49导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5648.pdf: 343115 bytes, checksum: 651b72ddba4fd72e1affc17d1d6952aa (MD5) Previous issue date: 1998 北京市太阳能所;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵玉文;李仲明;何少琪;王文静;寥显伯;盛殊然;邓礼生;潘广勤.RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究,太阳能学报,1998,19(2):152 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
