InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射

将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制。由于强烈的能带填充效应，光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰，大激发时其强度超过基态跃迁对应的谱峰。最后激发态跃迁达到阈值条件，激射能量比结构相似但不含量子点的激光器低，表明量子点激光器中首先实现受激发射是量子点的激发态。

MBE生长的InAs薄膜Hall器件

利用GaAs衬底上的InAa薄膜制备的Hall器件，具有灵敏度高(在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍)，不等位电压温漂小等优点。可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中，具有广阔的应用前景。

InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析

国家863计划,国家自然科学基金

室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器

利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。

自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。

InAs薄膜Hall器件

于2010-11-23批量导入

扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究

报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点。SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义。

InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hall器件相比提高了50%。

InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。

MBE生长InAs薄膜输运性质的研究

在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。

InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究

在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于InAs/GaAs亚单层结构。得到平均厚度为1/3单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为23和42meV。

InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质，获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为0.32eV。

自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究

报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化。

自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应

通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火体面向于产生更多的位错，量子点的发峰位置不变，但强度减弱。

MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究

利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光 荧光谱线发生红移。这表明 由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。