室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。 利用一种新近提出的MBE自组织InAs/GaAs量子点生长方式，制成条型激光器，在室温脉冲工作条件下实现了激射。与测得的光致发光(PL)谱对照，发现激射峰位与量子点的PL谱峰位基本吻合。不同激光器结构的样品激射峰有相当大的移动，说明了激射来自量子点。在其它条件完全相同而仅有源区不同的条件下，纵向控制量子点激光器的阈值电流只是垂直耦合量子点激光器的1/3(60mA:200mA)，给出了一个简单的解释，并据此提出了一种实现调节量子点激光器激射能量的方法。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:16导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5518.pdf: 324430 bytes, checksum: f509f5989843ff277b17e72f045029bb (MD5) Previous issue date: 1999 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
汪辉;朱海军;王晓东;王海龙;封松林.室温脉冲激射的纵向控制InAs量子点激光器,半导体学报,1999,20(4):328 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
