扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点。SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义。 报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果。STM图像表明，在对n~+-GaAs衬底进行脱氧处理后，通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点。SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释，该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:14导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5694.pdf: 315117 bytes, checksum: 0a6e792cc19e48c9de73a325d5b1b717 (MD5) Previous issue date: 1998 国家自然科学基金,国家攀登计划 中科院半导体所 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵谦;封松林;王志明.扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究,半导体学报,1998,19(2):158 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
