InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级。测得1.7和2.5原子层InAs量子点电子基态能级相对于GaAs的导带底分别为100meV和210meV,量子点电子基态的俘获热垒分别为0.48eV和0.30eV。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5710.pdf: 303086 bytes, checksum: 6a7ae24fdd671f90a39c8c22906312ec (MD5) Previous issue date: 1998 国家攀登计划,国家自然科学基金 中科院半导体所;北京师范大学物理系 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈枫;封松林;杨锡震;王志明;赵谦;温亮生.InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质,半导体学报,1998,19(6):401 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
