InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质，获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV，该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫，对应俘获势垒为0.32eV。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈枫;封松林;杨锡震;王志明;汪辉;邓元明.InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒,红外与毫米波学报,1997,16(4):241 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
