InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于InAs/GaAs亚单层结构。得到平均厚度为1/3单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为23和42meV。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;韩和相;汪兆平;李伟;王占国.InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究,红外与毫米波学报,1997,16(2):131 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
