自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
报道了自组织生长InAs/GaAs岛状结构生长停顿的研究结果。在完成InAs岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积GaAs盖层，将导一致InAs岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱。透射电子显微镜分析表明在这种结构中出了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为InAs材料的俘获陷阱。随着停顿时间加长，InAs岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志明;吕振东;封松林;杨小平;陈宗圭;徐仲英;郑厚植;王凤莲;高--;韩培德;段晓峰.自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究,红外与毫米波学报,1997,16(5):335 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
