InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hall器件相比提高了50%。