自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
通过研究GaAs衬认错 上不同厚度InAs层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，InAs量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝 移。量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火体面向于产生更多的位错，量子点的发峰位置不变，但强度减弱。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志明;吕振东;封松林;赵谦;李树英;吉秀英;陈宗圭;徐仲英;郑厚植.自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应,红外与毫米波学报,1997,16(6):455 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
