自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。 利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构。下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML。透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:43导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5633.pdf: 327471 bytes, checksum: 3ff036f2d13f595ff31e0b20055952a4 (MD5) Previous issue date: 1998 国家自然科学基金,国家攀登计划 中科院半导体所;北京电子显微镜开放实验室 国家自然科学基金,国家攀登计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王志明;封松林;吕振东;杨小平;陈宗圭;宋春英;徐仲英;郑厚植;王凤莲;韩培德;段晓峰.自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究,物理学报,1998,47(1):89 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
