MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。 在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:23导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5721.pdf: 272408 bytes, checksum: eea183058fb2c0f69b5eed7f9a8a45cb (MD5) Previous issue date: 1998 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周宏伟;董建荣;王红梅;曾一平;朱占萍;潘量;孔梅影.MBE生长InAs薄膜输运性质的研究,半导体学报,1998,19(9):646 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
