InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
将覆盖层引入生长停顿的量子点结构作为激光器有源区来研究量子点激光器受激发射机制。由于强烈的能带填充效应，光致发光谱和电致发光谱中观察到对应于量子点激发态跃迁的谱峰，大激发时其强度超过基态跃迁对应的谱峰。最后激发态跃迁达到阈值条件，激射能量比结构相似但不含量子点的激光器低，表明量子点激光器中首先实现受激发射是量子点的激发态。 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
汪辉;牛智川;王海龙;王晓东;封松林.InAs/GaAs自组织量子点激发态的激射,半导体学报,2001,22(3):295 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
