MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构。透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子点的光 荧光谱线发生红移。这表明 由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生。光荧光谱线半高宽随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱东海;范缇文;梁基本;徐波;朱战萍;龚谦;江潮;李含轩;周伟;王占国.MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究,发光学报,1997,18(3):228 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
