372 resultados para ALGAAS
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优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。
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于2010-11-23批量导入
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测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。
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国家杰出青年基金
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利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。
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报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能的影响,并证明了分析理论的正确性。
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用MBE方法制备的PHEMT微结构材料,其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×10~(12)cm~(-2)之间,室温霍耳迁移率在5000-6500cm~2·V~(-1)·s~(-1)之间。制备的PHEMT器件,栅长为0.7μm的器件的直流特性:I_(dss)~280mA/mm,I_(max)~520-580mA/mm,g_m~320-400mS/mm,BV_(DS)>15V(I_(DS)=1mA/mm),BV_(GS)>10V,微波特性:P_0~600-900mW/mm,G~6-10dB,η_(add)~40-60%;栅长为0.4μm的器件的直流特性:I_(max)~800mA/mm,g_m>400mS/mm。
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于2010-11-23批量导入
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通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵,在热沉温度21℃,脉冲宽度200μs,重复频率100Hz时,输出峰值功率达157W。
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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构,并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。
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于2010-11-23批量导入
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利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型,首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用,详细分析了不同界面态密度对HEMT的I-V特性和器件跨导的影响。研究结果表明随着界面态密度的增加,栅极电压对电流的控制能力减小,从而使器件的跨导减小。
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用固定能量为20keV,剂量为10~(11)~10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2,能量为30~100keV的质子,对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照,得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系,并进行了讨论。结果表明,质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响,这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照,随着辐照剂量的增大,对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照,当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏最严重,当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时,对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。
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利用分子束外延方法研制的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件。通过对其50℃高温加速老化,检测了器件的可靠性,并对器件中存在的三种典型退化行为,即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究。
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该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。