InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5205.pdf: 212067 bytes, checksum: a35cc833941e123fbf76cf4fcda68af1 (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐遵图;徐俊英;杨国文;张敬明;陈昌华;陈良惠;沈光地.InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,中国激光,1999,26(5):390 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
