InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器


Autoria(s): 徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 陈良惠; 沈光地
Data(s)

1999

Resumo

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:09:17导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5205.pdf: 212067 bytes, checksum: a35cc833941e123fbf76cf4fcda68af1 (MD5) Previous issue date: 1999

中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103795

Idioma(s)

中文

Fonte

徐遵图;徐俊英;杨国文;张敬明;陈昌华;陈良惠;沈光地.InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,中国激光,1999,26(5):390

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文