157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
| Data(s) |
2000
|
|---|---|
| Resumo |
通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到1cm AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵，在热沉温度21℃，脉冲宽度200μs，重复频率100Hz时，输出峰值功率达157W。 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方高瞻;肖建伟;马骁宇;谭满清;刘宗顺;刘素平;胡长虹;鲁琳;李秀芳;王梅.157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵,半导体学报,2000,21(1):102 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
