MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。 该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5530.pdf: 339754 bytes, checksum: 853ab3ef6cf6853c23b62bf7e146dac9 (MD5) Previous issue date: 1999 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
徐遵图;杨国文;徐俊英;张敬明;沈光地;高国;廉鹏;陈良惠.MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,半导体学报,1999,20(3):194 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
