生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:22导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5219.pdf: 264019 bytes, checksum: 614fa10dbeffe5e3d43d8a879998f6c9 (MD5) Previous issue date: 2001 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈晔;李国华;朱作明;韩和相;汪兆平;周伟;王占国.生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs/AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究,红外与毫米波学报,2001,20(1):53 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
