MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料，研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响。采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究。实验制备了空穴浓度高达1.9×10~(20)cm~(-3)的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al_(0.3Ga_(0.7)As外延层。在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子进980nm大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作1W以上的光功率输出。

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zhangdi于2010-11-23 13:10:54导入数据到SEMI-IR的IR

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北京市科委课题,北京市自然科学基金,国家自然科学基金

北京工业大学电子工程系;中科院半导体所

北京市科委课题,北京市自然科学基金,国家自然科学基金