MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。 北京市自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
廉鹏;邹德恕;高国;殷涛;陈昌华;徐遵图;沈光地;马晓宇;陈良惠.MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器,光电子·激光,2000,11(1):4 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
