质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响

用固定能量为20keV，剂量为10~(11)～10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2，能量为30～100keV的质子，对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。

用固定能量为20keV，剂量为10~(11)～10~(13)/cm~2的质子和固定剂量为1×10~(11)/cm~2，能量为30～100keV的质子，对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照，得到了材料的光致发光特性随质子能量和剂量的变化关系，并进行了讨论。结果表明，质子辐照对材料的光学性质有破坏性的影响，这种影响是通过两种机制引起的。相同能量的质子辐照，随着辐照剂量的增大，对量子阱光致发光峰的破坏增大。相同剂量的质子辐照，当辐照质子的射程刚好覆盖整个量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏最严重，当辐照质子的射程超过量子阱结构区域时，对量子阱光致发光峰的破坏反而减小。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:10:58导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5480.pdf: 333643 bytes, checksum: ad884190bdfeb7be3df4e70fe7f871d1 (MD5) Previous issue date: 1999

国家教育部博士点基金,国家自然科学基金

四川大学物理系;中科院半导体所

国家教育部博士点基金,国家自然科学基金