赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱，详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制，并运用有限差分法自洽求解薛定谔和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率，研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。 国家自然科学基金,国家九五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王晓光;常勇;桂永胜;褚君浩;曹昕;曾一平;孔梅影.赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究,红外与毫米波学报,2000,19(5):333 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
