界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响

利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的I-V特性和器件跨导的影响。研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。