带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵


Autoria(s): 方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 冯小明
Data(s)

2000

Resumo

国家杰出青年基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18461

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103868

Idioma(s)

中文

Fonte

方高瞻;肖建伟;马骁宇;谭满清;刘宗顺;刘素平;冯小明.带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵,高技术通讯,2000,10(12):9

Palavras-Chave #半导体器件
Tipo

期刊论文