窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积（NSAG－MOCVD）成功生长的InP系材料，并提出在NSAG－MOCVD生长研究中，引入填充因子的必要性，给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式，计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较，发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度，InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关，同时也依赖于生长厚度，且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。

Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP

The electrical properties of annealed undoped n-type InP are studied by temperature dependent Hall effect (TDH) and current-voltage (I-V) measurements for semiconducting and semi-insulating samples, receptively. Defect band conduction in annealed semiconducting InP can be observed from TDH measurement, which is similar to those of as-grown unintentionally doped InP with low carrier concentration and moderate compensation. The I-V curves of annealed undoped SI InP exhibit ohmic property in the applied field region up to the onset of breakdown. Such a result is different from that of as-grown Fe-doped SI InP which has a nonlinear region in I-V curve explained by the theory of space charge limited current.

Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP

The free electron concentration of as-grown liquid encapsulated Czochralski (LEC) InP measured by Hall effect is much higher than the concentration of net donor impurity determined by glow discharge mass spectroscopy. Evidence of the existence of a native donor hydrogen-indium vacancy complex in LEC undoped and Fe-doped InP materials can be observed with infrared absorption spectra. The concentration increase of the donor complex correlates with the increase of ionized deep acceptor iron impurity Fe~(2+) concentration in Fe-doped semi-insulating (SI) InP. These results indicate that the hydrogen-indium vacancy complex is an important donor defect in as-grown LEC InP, and that it has significant influence on the compensation in Fe-doped SI InP.

非原生掺杂半绝缘磷化铟（InP）及其应用对比

过去的几年中，由于1.31和1.55μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用，磷化铟（InP）衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动，并已逐步成为继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后又一重要的化合物半导体材料。与GaAs相比，InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强的抗辐射能力等优点，因此更适合于制造高频、高速、大功率及外层空间用微波器件和电路。从实际使用的情况看，n和p型InP衬底的性能已基本满足要求，而半绝缘类型衬底则无论从一致性还是均匀性方面都需要较大程度地改善。相应地，这种改善的途径和方法已成为半导体材料的研究热点之一。

气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究

国家自然科学基金

立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征

于2010-11-23批量导入

Si（001）衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

于2010-11-23批量导入

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

北京市基金,国家自然科学基金

Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

于2010-11-23批量导入

半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

于2010-11-23批量导入

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础。

InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论。

GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

于2010-11-23批量导入

MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs（001）中六角相含量退火行为的研究

采用高温热退火的方法，在不同条件下对低压MOCVD在GaAs(001)衬底制备的立方GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化。报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征。在GaN/GaAs之间存在一个界面层，高温退火时，来自界面层的TO_B，LO_B声子的强度降低，而来自六角相的E_2声子增强，说明六角相含量增加。样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因。在较低的温度下，六角相含量没有明显变化，而且与退火时间无关。

Al_2O_3/Si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

于2010-11-23批量导入